Huang 等人 [2] 利用激光辐照的方法在传统的 IaGaN/GaN 发光二极管上部 p-GaN 表面形成纳米级粗糙层。这里所说的传统的 GaN 发光二极管的结构为： 560 ℃ 生长 30nm 厚的 GaN 低温缓冲层，一个 2μm 厚的未掺杂 GaN 层，一个在 1050 ℃ 生长的 1.5μm 厚的 n-GaN 层，一个包含 5 个循环的的 In 0.21 Ga 0.79 N 2nm /GaN 5nm 多量子井层，一个 0.3μm 厚的 p-GaN 层。并且采用表面粗化处理的器件和传统器件采用相同的生长方法和步骤制备。经过表面粗化后， p-GaN 表面均方根粗糙度由 2.7nm 增加到了 13.2nm 。结果显示，采用表面粗化处理的器件的在加上 20mA 电流时，亮度提高了 25% 。但是工作电压从 3.55 降低到了 3.3V 。采用表面粗化处理的器件的系统电阻降低了 29% ，这是因为表面粗化后增加了接触面积和经过激光辐照后，具有了更高的空穴浓度。

　　很多人 [3-7] 利用表面粗化来提高出光效率做了研究，主要利用的方法包括表面粗化、晶片键合和激光衬底剥离技术等。但是这些研究都只把注意力放在了 GaN 基发光二极管顶部一个表面的粗化上。 W. C. Peng 等人 [8] 对利用双层表面粗化来提高出光效率做了研究。 Wei chih peng 等人制备了三种 LED 器件。如图 1 所示。其中 CV-LED 表示未作任何表面粗化处理的 LED 。 PR-LED 表示 p-GaN 进行粗化处理的 LED 。 DR-LED 表示 p-GaN 层和 undoped-GaN 层进行粗化处理的 LED 。

图 1 ：器件结构示意图