蓝宝石晶棒供不应求的主要原因在于MOCVD的疯狂扩张，而并不是 LED终端产品需求的增加。由于蓝宝石晶棒、基板的紧缺，MOCVD机器只有不到50%的能够开工，MOCVD的过剩中短期内将催高蓝宝石晶棒、基板价格的价格，造成终端产品价格的上涨，降低磊晶厂的毛利率。从长期看，蓝宝石晶棒、基板的紧缺必将起到大浪淘沙的作用，一部分芯片质量相对不高，成本相对较高的外延片、芯片企业将倒在普通照明市场打开之前。

　　蓝宝石晶体的生长方法常用的有两种:

　　1:柴氏拉晶法(Czochralski method),简称CZ法.先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤，再利用一单晶晶种接触到熔汤表面，在晶种与熔汤的固液界面上因温度差而形成过冷。于是熔汤开始在晶种表面凝固并生长和晶种相同晶体结构的单晶。晶种同时以极缓慢的速度往上拉升，并伴随以一定的转速旋转，随着晶种的向上拉升，熔汤逐渐凝固于晶种的液固界面上，进而形成一轴对称的单晶晶锭.

　　2:凯氏长晶法(Kyropoulos method),简称KY法,大陆称之为泡生法.其原理与柴氏拉晶法(Czochralskimethod)类似，先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤，再以单晶之晶种(SeedCrystal，又称籽晶棒)接触到熔汤表面，在晶种与熔汤的固液界面上开始生长和晶种相同晶体结构的单晶，晶种以极缓慢的速度往上拉升，但在晶种往上拉晶一段时间以形成晶颈，待熔汤与晶种界面的凝固速率稳定后，晶种便不再拉升，也没有作旋转，仅以控制冷却速率方式来使单晶从上方逐渐往下凝固，最后凝固成一整个单晶晶碇.

　　晶体提拉法

　　晶体提拉法(crystal pulling method) 由J .Czochral ski 于1918 年发明,故又称“丘克拉斯基法”,简称CZ 提拉法,是利用籽晶从熔体中提拉生长出晶体的方法,能在短期内生长出高质量的单晶。这是从熔体中生长晶体最常用的方法之一。其优点是: (1) 在生长的过程中,可方便地观察晶体生长的状况; (2) 晶体在熔体表面处生长,不与坩埚接触,能显著地减小晶体的应力,防止坩埚壁的寄生成核; (3) 可以方便地运用定向籽晶和“缩颈”工艺,使“缩颈”后籽晶的位错大大减少,降低扩肩后生长晶体的位错密度,从而提高晶体的完整性 。其主要缺点是晶体较小,直径最多达约51～76 mm。.

　　泡生法

　　泡生法( Kyropoulos method) 于1926 年由Kyropoul s 发明,经过科研工作者几十年的不断改造和完善,目前是解决晶体提拉法不能生产大晶体的好方法之一。其晶体生长的原理和技术特点是:将晶体原料放入耐高温的坩埚中加热熔化,调整炉内温度场,使熔体上部处于稍高于熔点的状态;使籽晶杆上的籽晶接触熔融液面,待其表面稍熔后,降低表面温度至熔点,提拉并转动籽晶杆,使熔体顶部处于过冷状态而结晶于籽晶上,在不断提拉的过程中,生长出圆柱状晶体。

　　泡生法与提拉法生长晶体在技术上的区别是: (1) 晶体直径　在扩肩时前者的晶体直径较大,可生长出100 mm 以上直径的蓝宝石晶体,而后者则有些难度; (2) 晶体方向　前者对生长大尺寸、有方向性的蓝宝石晶体拥有更大的优势;(3) 晶体质量　泡生法生长系统拥有适合蓝宝石晶体生长的最佳温度梯度。在生长的过程中或结束时,晶体不与坩埚接触,大大减少了其应力,可获得高质量的大晶体, 其缺陷密度远低于提拉法生长的晶体,且两者生长晶体的形状也不同。