非极性GaN用r面蓝宝石衬底
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上传人：杨新波,徐军,李红军,毕群玉,程艳,苏良碧,周国清 上传时间： 2011-09-01 浏览次数： 279 |
| 作者 | 杨新波,徐军,李红军,毕群玉,程艳,苏良碧,周国清 |
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| 单位 | 中国科学院上海硅酸盐研究所透明光功能无机材料重点实验室,中国科学院研究生院,中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 分类号 | TN304.054 |
| 发表刊物 | 无机材料学报 |
| 发布时间 | 2009年04期 |
目前,商业上GaN薄膜外延生长的主流衬底是c面蓝宝石晶体.通常,c面蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜是沿着其极性轴即c轴方向生长的,薄膜具有自发极化和压电极化效应,导致薄膜内部产生强大的内建电场,大大地降低了GaN薄膜的发光效率[1].近年来,科研人员考虑生长方向垂直于c轴即所谓……
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