GaN的极性特征、测量及应用
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上传人：刘宝林 上传时间： 2011-04-23 浏览次数： 221 |
| 作者 | 刘宝林 |
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| 单位 | 厦门大学物理系 |
| 分类号 | TN304.23 |
| 发表刊物 | 《半导体光电》 |
| 发布时间 | 未知 |
1 引言
GaN基材料由于其较宽的带隙 ,具有特殊的物理和化学性质 ,最近几年由于材料生长技术的突破而受到学术和产业界的广泛重视。GaN基材料属于Ⅲ Ⅴ族半导体 ,有许多与传统的Ⅲ Ⅴ族半导体相似的性质 ,但由于它与我们常用的GaAs基和InP基等材料的闪锌矿结构 ……
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