MBE低温生长GaAs在器件应用上的回顾与新进展
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上传人：郑戈,汪辉 上传时间： 2011-10-18 浏览次数： 74 |
| 作者 | 郑戈,汪辉 |
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| 单位 | 上海交通大学微电子学院 |
| 分类号 | TN304 |
| 发表刊物 | 信息技术 |
| 发布时间 | 2008年10期 |
LTG-GaAs的基本介绍LTG-GaAs是使用MBE在250~300摄氏度的低温下生长的GaAs。它含有1%~2%的过量的砷。由于过量砷的存在导致了很高浓度的点缺陷,而这种点缺陷则大部分由砷的反位缺陷所造成。这些反位缺陷也同时在GaAs的价带中带来了大量的中间态。它是近年来出现的新材料……
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