Si基CeO_2薄膜的发光特性
|
上传人：王申伟,衣立新,丁甲成,高靖欣,王永生 上传时间： 2011-10-25 浏览次数： 58 |
| 作者 | 王申伟,衣立新,丁甲成,高靖欣,王永生 |
|---|---|
| 单位 | 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室 |
| 分类号 | O484.41 |
| 发表刊物 | 发光学报 |
| 发布时间 | 2010年05期 |
引言
随着科学技术的发展,硅基光电集成成为当前提升信息传递速度的有效途径之一,因此获得高效稳定的硅基发光器件成为当前研究的主要课题。由于量子限域效应,纳米硅(nc-Si)可以由间接带向准直接带转变,从而大大提高nc-Si的发光效率[1]。人们先后研究了多孔硅、nc-Si薄膜以及……
最新评论
用户名： 密码：
